机译:使用离子注入在蓝宝石衬底上的高迁移率SiGe / Si晶体管结构
机译:金属有机汽相外延技术表征不同Al含量的AlGaN / GaN异质结构和生长在100毫米直径蓝宝石衬底上的高电子迁移率晶体管
机译:蓝宝石衬底上的高电子迁移率SiGe,用于快速芯片组
机译:蓝宝石衬底上的高电子迁移率SiGe / Si晶体管结构
机译:在δ掺杂的砷化镓高电子迁移率晶体管结构中使用二维电子气的弹道传输的器件。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:蓝宝石衬底上采用离子注入的高迁移率SiGe / Si晶体管结构